Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

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787-9367
Référence fabricant:
SIRA00DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

147nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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