Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3

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228-2916
Référence fabricant:
SIRA20BDP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

335A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

124nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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