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Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 45.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA88DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 134-9696
Référence fabricant:: SIRA88DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 45.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA88DP-T1-GE3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 225	0,531 €	13,28 €
250 - 600	0,518 €	12,95 €
625 - 1225	0,505 €	12,63 €
1250 - 2475	0,492 €	12,30 €
2500 +	0,48 €	12,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 134-9696
Référence fabricant:: SIRA88DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	45.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	25W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.8nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 45.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 25W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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