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Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9373
Référence fabricant:: SIRA06DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

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50 - 245	1,652 €	8,26 €
250 - 495	1,366 €	6,83 €
500 - 1245	1,282 €	6,41 €
1250 +	1,208 €	6,04 €

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N° de stock RS:: 787-9373
Référence fabricant:: SIRA06DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.73V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.73V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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