Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 5 unités)*

4,85 €

(TVA exclue)

5,85 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 16 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
5 - 450,97 €4,85 €
50 - 2450,824 €4,12 €
250 - 4950,68 €3,40 €
500 - 12450,638 €3,19 €
1250 +0,60 €3,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
787-9373
Référence fabricant:
SIRA06DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Forward Voltage Vf

0.73V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes