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Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9389
Référence fabricant:: SIRA14DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

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N° de stock RS:: 787-9389
Référence fabricant:: SIRA14DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.76V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	31.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.26 mm
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.76V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 31.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.26 mm
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 58 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3

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N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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