Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4056ADY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2819
- Référence fabricant:
- Si4056ADY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
7,18 €
(TVA exclue)
8,69 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 4 820 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,718 € | 7,18 € |
| 100 - 240 | 0,646 € | 6,46 € |
| 250 - 490 | 0,53 € | 5,30 € |
| 500 - 990 | 0,467 € | 4,67 € |
| 1000 + | 0,36 € | 3,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2819
- Référence fabricant:
- Si4056ADY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
Logic level gate drive
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4090BDY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA88DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR401DP-T1-GE3