Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4090BDY-T1-GE3

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228-2821
Référence fabricant:
Si4090BDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

7.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

100 % Rg and UIS tested

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