N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA00DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 919-4246
Référence fabricant:: SIRA00DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA00DP-T1-GE3

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N° de stock RS:: 919-4246
Référence fabricant:: SIRA00DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	1.35 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	104 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Length	6.25mm
Transistor Material	Si
Width	5.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs	147 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.12mm

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA00DP-T1-GE3

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N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor