Références fabricant

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 919-4246
Référence fabricant:: SIRA00DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 919-4246
Référence fabricant:: SIRA00DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.35mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	147nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.26mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 147nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.26mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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