Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 869,00 €

(TVA exclue)

2 262,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,623 €1 869,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-2915
Référence fabricant:
SIRA20BDP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

335A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

124nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes