Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 746,00 €

(TVA exclue)

2 112,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,582 €1 746,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-2820
Référence fabricant:
Si4090BDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

7.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes