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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4056ADY-T1-GE3

N° de stock RS:: 228-2818
Référence fabricant:: Si4056ADY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4056ADY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 228-2818
Référence fabricant:: Si4056ADY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	29.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.2nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.75mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 29.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.2nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.75mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - Si4056ADY-T1-GE3

The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Logic level gate drive

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