Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

807,50 €

(TVA exclue)

977,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En voie de retrait du marché
  • 2 500 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,323 €807,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-2818
Référence fabricant:
Si4056ADY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel power MOSFET is use for load switch, circuit protection and motor drive control.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Logic level gate drive

Liens connexes