Références fabricant

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin SC-75 SI1021R-T1-GE3

N° de stock RS:: 180-7261
Référence fabricant:: SI1021R-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin SC-75 SI1021R-T1-GE3

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N° de stock RS:: 180-7261
Référence fabricant:: SI1021R-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	P
	Maximum Continuous Drain Current	190 A
	Maximum Drain Source Voltage	60 V
	Package Type	SC-75
	Series	TrenchFET
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	8 O
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	3V
	Number of Elements per Chip	1

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	Marque Vishay
	Channel Type P
	Maximum Continuous Drain Current 190 A
	Maximum Drain Source Voltage 60 V
	Package Type SC-75
	Series TrenchFET
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 8 O
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 3V
	Number of Elements per Chip 1

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay Siliconix Si1021R series TrenchFET power MOSFET has low on state resistance and has fast switching speed. It is used in battery operated systems, power supply converter circuits, solid state relays and in drivers.

Ease in driving switches
Low offset voltage
Low-voltage operation
High-speed circuits
Easily driven without buffer
Small board Area

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin SC-75 SI1021R-T1-GE3

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