Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 210 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3

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787-9024
Référence fabricant:
SI1032R-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

210mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-75

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

10Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±6 V

Maximum Power Dissipation Pd

340mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Height

0.8mm

Length

1.68mm

Width

0.86 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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