Références fabricant

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-6899
Référence fabricant:: SI1025X-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

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N° de stock RS:: 165-6899
Référence fabricant:: SI1025X-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Transistor Configuration	Isolated
	Series	TrenchFET
	Number of Elements per Chip	2
	Channel Type	Type P, Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	135 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	6
	Package Type	SC-89-6
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	-1.4 V
	Height	600 μm
	Length	1.7 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	8 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	-20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	250 mW
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.7 nC
	Width	1.2 mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Transistor Configuration Isolated
	Series TrenchFET
	Number of Elements per Chip 2
	Channel Type Type P, Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 135 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 6
	Package Type SC-89-6
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) -1.4 V
	Height 600 μm
	Length 1.7 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 8 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -20 V, +20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 250 mW
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7 nC
	Width 1.2 mm

Pays d'origine :: PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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