Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

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N° de stock RS:
165-6899
Référence fabricant:
SI1025X-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

135mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-89-6

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface, Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.4V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

1.7mm

Width

1.2 mm

Height

0.6mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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