Références fabricant

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-6899
Référence fabricant:: SI1025X-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

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N° de stock RS:: 165-6899
Référence fabricant:: SI1025X-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	135mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-89-6
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-1.4V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.2mm
	Length	1.7mm
	Height	0.6mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 135mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-89-6
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -1.4V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.2mm
	Length 1.7mm
	Height 0.6mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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