Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -36 A, -20 V Enhancement, 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA5213DJ-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 735-255
- Référence fabricant:
- SIA5213DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
0,50 €
(TVA exclue)
0,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 16 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,50 € |
| 25 - 99 | 0,34 € |
| 100 + | 0,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-255
- Référence fabricant:
- SIA5213DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | PowerPAK SC-70 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.019Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 2.15mm | |
| Width | 2.15 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type PowerPAK SC-70 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.019Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 0.8mm | ||
Length 2.15mm | ||
Width 2.15 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS176LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4371EDJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
- Vishay SiA4263DJ Type P-Channel MOSFET 30 V PowerPAK SC-70 SIA4263DJ-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
