Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1967DH-T1-GE3

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812-3108
Référence fabricant:
SI1967DH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

790mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

2.2mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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