Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 1.1 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1967DH-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 ruban de 50 unités)*

13,05 €

(TVA exclue)

15,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
50 +0,261 €13,05 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
812-3108
Référence fabricant:
SI1967DH-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

790mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Width

1.35 mm

Height

1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes