Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1553CDL-T1-GE3

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812-3094
Référence fabricant:
SI1553CDL-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

700mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.48mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.2nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

340mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-12/12 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

2.2mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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