Références fabricant

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 210 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-7260
Référence fabricant:: SI1032R-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 210 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1032R-T1-GE3

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N° de stock RS:: 165-7260
Référence fabricant:: SI1032R-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	210mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-75
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	6V
	Maximum Power Dissipation Pd	340mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS
	Length	1.68mm
	Width	0.86mm
	Height	0.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 210mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-75
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 6V
	Maximum Power Dissipation Pd 340mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS
	Length 1.68mm
	Width 0.86mm
	Height 0.8mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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