Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 210 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- N° de stock RS:
- 165-7260
- Référence fabricant:
- SI1032R-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,095 € | 285,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 165-7260
- Référence fabricant:
- SI1032R-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-75 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±6 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 340mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 0.86 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Height | 0.8mm | |
| Length | 1.68mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-75 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±6 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 340mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 0.86 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Height 0.8mm | ||
Length 1.68mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
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