Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1021R-T1-GE3

N° de stock RS:: 180-7825
Référence fabricant:: SI1021R-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1021R-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 180-7825
Référence fabricant:: SI1021R-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Series	TrenchFET
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	190 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	60 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	SC-75
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	8 Ω
	Mount Type	Surface

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Series TrenchFET
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 190 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 60 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type SC-75
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 8 Ω
	Mount Type Surface

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay Siliconix Si1021R series TrenchFET power MOSFET has low on state resistance and has fast switching speed. It is used in battery operated systems, power supply converter circuits, solid state relays and in drivers.

Ease in driving switches

Low offset voltage

Low-voltage operation

High-speed circuits

Easily driven without buffer

Small board Area

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