Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3

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787-9288
Référence fabricant:
SIA447DJ-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

71mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.7mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Width

1.7 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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