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Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9288
Référence fabricant:: SIA447DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3

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100 - 490	0,31 €	3,10 €
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1000 - 2490	0,169 €	1,69 €
2500 +	0,157 €	1,57 €

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N° de stock RS:: 787-9288
Référence fabricant:: SIA447DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	SC-70
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	71mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.7 mm
	Height	0.8mm
	Standards/Approvals	No
	Length	1.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type SC-70
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 71mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.7 mm
	Height 0.8mm
	Standards/Approvals No
	Length 1.7mm
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3

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P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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