IXYS Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

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875-2500
Référence fabricant:
MMIX1T550N055T2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

25.25mm

Width

23.25 mm

Standards/Approvals

No

Height

5.7mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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