IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

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Référence fabricant:
MMIX1T550N055T2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

25.25mm

Height

5.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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