IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F520N075T2

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875-2471
Numéro d'article Distrelec:
302-53-512
Référence fabricant:
MMIX1F520N075T2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

500A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

545nC

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.25V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Width

23.25 mm

Length

25.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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