IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

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146-1770
Référence fabricant:
MMIX1F180N25T
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

24

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Single

Width

23.25 mm

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Number of Elements per Chip

1

Pays d'origine :
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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