IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T
- N° de stock RS:
- 146-1770
- Référence fabricant:
- MMIX1F180N25T
- Fabricant:
- IXYS
Sous-total (1 tube de 20 unités)*
801,78 €
(TVA exclue)
970,16 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 20 + | 40,089 € | 801,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 146-1770
- Référence fabricant:
- MMIX1F180N25T
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 132A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | GigaMOS, HiperFET | |
| Package Type | SMPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 570W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Length | 25.25mm | |
| Width | 23.25mm | |
| Height | 5.7mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 132A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series GigaMOS, HiperFET | ||
Package Type SMPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 570W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Length 25.25mm | ||
Width 23.25mm | ||
Height 5.7mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
- Pays d'origine :
- DE
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS Single GigaMOS 132 A 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T
- IXYS GigaMOS 500 A 24-Pin SMPD
- IXYS GigaMOS 550 A 24-Pin SMPD
- IXYS GigaMOS 600 A 24-Pin SMPD
- IXYS GigaMOS 550 A 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2
- IXYS GigaMOS 600 A 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2
- IXYS GigaMOS 500 A 24-Pin SMPD MMIX1F520N075T2
- IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227