IXYS Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD

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N° de stock RS:
168-4794
Référence fabricant:
MMIX1T550N055T2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Standards/Approvals

No

Width

23.25 mm

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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