Références fabricant

IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V Enhancement, 24-Pin SMPD

N° de stock RS:: 168-4790
Référence fabricant:: MMIX1F520N075T2
Fabricant:: IXYS

IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V Enhancement, 24-Pin SMPD

Sous-total (1 tube de 20 unités)*

373,56 €

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20 +	18,678 €	373,56 €

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N° de stock RS:: 168-4790
Référence fabricant:: MMIX1F520N075T2
Fabricant:: IXYS

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	500A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Series	GigaMOS, HiperFET
	Package Type	SMPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	24
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	830W
	Forward Voltage Vf	1.25V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	545nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	5.7mm
	Standards/Approvals	No
	Length	25.25mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 500A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Series GigaMOS, HiperFET
	Package Type SMPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 24
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 830W
	Forward Voltage Vf 1.25V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 545nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 5.7mm
	Standards/Approvals No
	Length 25.25mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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