IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V Enhancement, 24-Pin SMPD

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N° de stock RS:
168-4790
Référence fabricant:
MMIX1F520N075T2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

500A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

545nC

Forward Voltage Vf

1.25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

23.25 mm

Standards/Approvals

No

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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