IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Type N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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N° de stock RS:
168-4578
Référence fabricant:
IXFN360N15T2
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

310A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SOT-227

Series

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

715nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.07 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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