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IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2

N° de stock RS:: 875-2475
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-513
Référence fabricant:: MMIX1T600N04T2
Fabricant:: IXYS

IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2

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N° de stock RS:: 875-2475
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-513
Référence fabricant:: MMIX1T600N04T2
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	600A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SMPD
	Series	GigaMOS, HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	24
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	590nC
	Maximum Power Dissipation Pd	830W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	25.25mm
	Height	5.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 600A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SMPD
	Series GigaMOS, HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 24
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 590nC
	Maximum Power Dissipation Pd 830W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 25.25mm
	Height 5.7mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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