IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 420 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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N° de stock RS:
168-4579
Référence fabricant:
IXFN420N10T
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

420A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-227

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.07kW

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

670nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.07 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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