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IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

N° de stock RS:: 875-2481
Référence fabricant:: MMIX1F180N25T
Fabricant:: IXYS

IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

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N° de stock RS:: 875-2481
Référence fabricant:: MMIX1F180N25T
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	SMPD
	Series	GigaMOS, HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	24
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	570W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	25.25mm
	Height	5.7mm
	Width	23.25mm
	Number of Elements per Chip	1

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	Marque IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type SMPD
	Series GigaMOS, HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 24
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 570W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 25.25mm
	Height 5.7mm
	Width 23.25mm
	Number of Elements per Chip 1

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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