IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

271,10 €

(TVA exclue)

328,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 240 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +27,11 €271,10 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-4577
Référence fabricant:
IXFN360N10T
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes