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Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 818-1444
Référence fabricant:: SI9407BDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 818-1444
Référence fabricant:: SI9407BDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Series	Si9407BDY
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.12Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4 mm
	Height	1.55mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Series Si9407BDY
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4 mm
	Height 1.55mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

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P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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