Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
165-6283
Référence fabricant:
SI9407BDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si9407BDY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Length

5mm

Height

1.55mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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