Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4554DY-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

5,46 €

(TVA exclue)

6,61 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 15 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,546 €5,46 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
787-9238
Référence fabricant:
SI4554DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.3nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes