Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

2,37 €

(TVA exclue)

2,87 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En voie de retrait du marché
  • Plus 5 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
  • 3 875 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +0,474 €2,37 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
710-3345
Référence fabricant:
SI4559ADY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

72mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.4W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes