Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 787-9052
- Référence fabricant:
- SI4925DDY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,10 €
(TVA exclue)
9,80 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 6 550 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,62 € | 8,10 € |
| 50 - 245 | 1,52 € | 7,60 € |
| 250 - 495 | 1,38 € | 6,90 € |
| 500 - 1245 | 1,296 € | 6,48 € |
| 1250 + | 1,214 € | 6,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 787-9052
- Référence fabricant:
- SI4925DDY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 8 A 8-Pin SOIC SI4554DY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N 8 A 8-Pin SOIC SI4564DY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3