Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3

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710-3395
Référence fabricant:
SI9933CDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Width

4 mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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