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Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9020
Référence fabricant:: SI4532CDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 787-9020
Référence fabricant:: SI4532CDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	140mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.78W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.78W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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