Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

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818-1302
Référence fabricant:
SI4909DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41.5nC

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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