Vishay Dual P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

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N° de stock RS:
812-3029
Référence fabricant:
SI1025X-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

135 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SC-89-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

1.7 nC @ 15 V

Length

1.7mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.2mm

Number of Elements per Chip

2

Height

0.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Pays d'origine :
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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