Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

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812-3160
Référence fabricant:
SI3477DV-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

TSOP

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.1mm

Height

1mm

Width

1.7 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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