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Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

N° de stock RS:: 812-3160
Référence fabricant:: SI3477DV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

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200 - 480	0,649 €	12,98 €
500 - 980	0,621 €	12,42 €
1000 - 1980	0,552 €	11,04 €
2000 +	0,519 €	10,38 €

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N° de stock RS:: 812-3160
Référence fabricant:: SI3477DV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	TSOP
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	33mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Power Dissipation Pd	4.2W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.1mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type TSOP
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Power Dissipation Pd 4.2W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.1mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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