Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.4 A, 80 V Enhancement, 6-Pin TSOP Si3129DV-T1-GE3

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228-2817
Référence fabricant:
Si3129DV-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

5.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

82.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET P-Channel power MOSFET is use for Power management of portable and consumer load switch and DC/DC converters.

100 % Rg and UIS tested

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