Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 5.4 A, 80 V Enhancement, 6-Pin TSOP Si3129DV-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2817
- Référence fabricant:
- Si3129DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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| 250 - 600 | 0,691 € | 17,28 € |
| 625 - 1225 | 0,651 € | 16,28 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2817
- Référence fabricant:
- Si3129DV-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TSOP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TSOP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET P-Channel power MOSFET is use for Power management of portable and consumer load switch and DC/DC converters.
100 % Rg and UIS tested
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