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Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9055
Référence fabricant:: SI1029X-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

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N° de stock RS:: 787-9055
Référence fabricant:: SI1029X-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-89-6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	750nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	No
	Length	1.7mm
	Height	0.6mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-89-6
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 750nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals No
	Length 1.7mm
	Height 0.6mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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