Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3493DDV-T1-GE3

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134-9713
Référence fabricant:
SI3493DDV-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

TSOP

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

51mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.1mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Width

1.7 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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