Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3421DV-T1-GE3

N° de stock RS:: 180-7895
Référence fabricant:: SI3421DV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3421DV-T1-GE3

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

8,66 €

(TVA exclue)

10,48 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Dernier stock RS

3 460 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,433 €	8,66 €
200 - 480	0,325 €	6,50 €
500 - 980	0,282 €	5,64 €
1000 - 1980	0,259 €	5,18 €
2000 +	0,204 €	4,08 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-7895
Référence fabricant:: SI3421DV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	19.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.98 mm
	Height	1.1mm
	Length	3.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type TSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 19.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.98 mm
	Height 1.1mm
	Length 3.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 19.2mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 4.2W and continuous drain current of 8A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• DC/DC converter

• For mobile computing/consumer

• Load switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested