Vishay SIRA14DDP Type N-Channel Single MOSFETs, 64 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA14DDP-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 653-179
- Référence fabricant:
- SIRA14DDP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
609,00 €
(TVA exclue)
738,00 €
(TVA incluse)
Ajouter 3000 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,203 € | 609,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-179
- Référence fabricant:
- SIRA14DDP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SIRA14DDP | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00702Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Width | 6.15 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SIRA14DDP | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00702Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.15mm | ||
Height 1.04mm | ||
Width 6.15 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TH
The Vishay N-channel MOSFET optimized for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SIRA14DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA14DP-T1-GE3
- Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5812DN-T1-GE3
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR4156LDP-T1-GE3
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5208DN-T1-GE3
- Vishay SIRA10DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA10DDP-T1-GE3
- Vishay SIRA12DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRA12DDP-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR100N60E-T1-GE3