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Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3

N° de stock RS:: 787-9027
Référence fabricant:: SI4946BEY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4946BEY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 787-9027
Référence fabricant:: SI4946BEY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.55mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Isolated
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.55mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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