Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
165-7226
Référence fabricant:
SI4532CDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.78W

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

5mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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