Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4564DY-T1-GE3

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812-3230
Référence fabricant:
SI4564DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N, Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Width

4 mm

Height

1.55mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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