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Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3

N° de stock RS:: 919-0297
Référence fabricant:: SI4559ADY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 919-0297
Référence fabricant:: SI4559ADY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	72mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 72mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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