Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

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710-3327
Référence fabricant:
SI4214DDY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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